Datasheet > HCTS08KMSH

HCTS08KMSH

更新时间： 2024-01-17 21:51:22

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		栅输入元件逻辑集成电路触发器
页数	文件大小	规格书
6页	220K
描述
IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT AND,CMOS, RAD HARD,FP,14PIN,CERAMIC

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HCTS08KMSH 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DFP, FL14,.3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.87
其他特性：	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	系列：	HCT
JESD-30 代码：	R-CDFP-F14	JESD-609代码：	e0
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	AND GATE
最大I（ol）：	0.00005 A	功能数量：	4
输入次数：	2	端子数量：	14
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DFP
封装等效代码：	FL14,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	电源：	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	26 ns	传播延迟（tpd）：	25 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
筛选级别：	38535V;38534K;883S	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
总剂量：	1M Rad(Si) V

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HCTS08KMSR	INTERSIL	获取价格	Radiation Hardened Quad 2-Input AND Gate
HCTS08MS	INTERSIL	获取价格	Radiation Hardened Quad 2-Input AND Gate
HCTS109D	INTERSIL	获取价格	Radiation Hardened Dual JK Flip Flop
HCTS109D/SAMPLE	RENESAS	获取价格	HCT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED J-KBAR FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP16
HCTS109DMSR	INTERSIL	获取价格	Radiation Hardened Dual JK Flip Flop
HCTS109DTR	INTERSIL	获取价格	Radiation Hardened Dual JK Flip Flop
HCTS109HMSR	INTERSIL	获取价格	Radiation Hardened Dual JK Flip Flop
HCTS109K	INTERSIL	获取价格	Radiation Hardened Dual JK Flip Flop
HCTS109K/SAMPLE	RENESAS	获取价格	HCT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED J-KBAR FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDFP16
HCTS109KMSH	RENESAS	获取价格	IC,FLIP-FLOP,DUAL,J/K TYPE,CMOS, RAD HARD,FP,16PIN,CERAMIC