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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DFP, FL16,.3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.68 | JESD-30 代码： | R-XDFP-F16 |
| JESD-609代码： | e0 | 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | J-K FLIP-FLOP | 最大I（ol）： | 0.00005 A |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DFP |
| 封装等效代码： | FL16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK | 电源： | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 44 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535V;38534K;883S | 子类别： | FF/Latches |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | FLAT |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 总剂量： | 1M Rad(Si) V | 触发器类型： | POSITIVE EDGE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HCTS109KMSR | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Dual JK Flip Flop |
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| HCTS109KTR | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Dual JK Flip Flop |
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| HCTS109MS | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Dual JK Flip Flop |
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| HCTS109T | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Dual JK Flip Flop |
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| HCTS10D | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate |
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| HCTS10DMSR | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate |
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| HCTS10HMSR | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate |
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| HCTS10K | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate |
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| HCTS10K/SAMPLE | RENESAS |
获取价格 |
HCT SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, CDFP14, CERAMIC, DFP-14 |
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| HCTS10KMSR | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate |
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