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HCTS10D PDF预览

HCTS10D

更新时间： 2024-01-07 22:15:20
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 栅
页数 文件大小 规格书
9页 151K
描述
Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate

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HCTS10D 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DFP包装说明：DFP, FL14,.3
针数：14Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.77
Is Samacsys：N系列：HCT
JESD-30 代码：R-CDFP-F14JESD-609代码：e0
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：NAND GATE
最大I（ol）：0.004 A功能数量：3
输入次数：3端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DFP
封装等效代码：FL14,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 VProp。Delay @ Nom-Sup：22 ns
传播延迟（tpd）：24 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO筛选级别：MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度：2.92 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED总剂量：200k Rad(Si) V
宽度：6.285 mmBase Number Matches：1

HCTS10D 数据手册

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HCTS10MS  
Radiation Hardened  
Triple 3-Input NAND Gate  
September 1995  
Features  
Pinouts  
14 LEAD CERAMIC DUAL-IN-LINE  
METAL SEAL PACKAGE (SBDIP)  
MIL-STD-1835 CDIP2-T14, LEAD FINISH C  
TOP VIEW  
• 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS  
• Total Dose 200K RAD (Si)  
• SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg  
• Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/Bit-Day  
(Typ)  
A1  
B1  
1
2
3
4
5
6
7
14 VCC  
13 C1  
12 Y1  
11 C3  
10 B3  
• Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s  
• Dose Rate Upset >1010 RAD (Si)/s 20ns Pulse  
• Latch-Up Free Under Any Conditions  
A2  
B2  
C2  
• Military Temperature Range: -55oC to +125oC  
• Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs  
• DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V  
Y2  
9
8
A3  
Y3  
GND  
14 LEAD CERAMIC METAL SEAL FLATPACK PACKAGE  
(FLATPACK) MIL-STD-1835 CDFP3-F14, LEAD FINISH C  
TOP VIEW  
- LSTTL Input Compatibility  
- VIL = 0.8V Max  
A1  
B1  
1
2
3
4
5
6
7
14  
13  
12  
11  
10  
9
VCC  
C1  
Y1  
- VIH = VCC/2 Min  
• Input Current Levels Ii ≤ 5µA at VOL, VOH  
A2  
B2  
C3  
B3  
A3  
Y3  
Description  
C2  
The Intersil HCTS10MS is a Radiation Hardened Triple 3-Input  
NAND Gate. A high on all inputs forces the output to a Low state.  
Y2  
GND  
8
The HCTS10MS utilizes advanced CMOS/SOS technology to  
achieve high-speed operation. This device is a member of radia-  
tion hardened, high-speed, CMOS/SOS Logic Family.  
Functional Diagram  
An  
The HCTS10MS is supplied in a 14 lead Ceramic flatpack  
(K suffix) or a SBDIP Package (D suffix).  
(1, 3, 9)  
Bn  
Yn  
(6, 8, 12)  
(2, 4, 10)  
Ordering Information  
Cn  
PART  
NUMBER  
TEMPERATURE SCREENING  
RANGE LEVEL  
(5, 11, 13)  
PACKAGE  
TRUTH TABLE  
INPUTS  
o
o
HCTS10DMSR -55 C to +125 C Intersil Class  
S Equivalent  
14 Lead SBDIP  
OUTPUTS  
An  
L
Bn  
L
Cn  
L
Yn  
H
H
H
H
H
H
H
L
o
o
HCTS10KMSR -55 C to +125 C Intersil Class  
S Equivalent  
14 Lead Ceramic  
Flatpack  
L
L
H
L
o
HCTS10D/  
Sample  
+25 C  
Sample  
Sample  
Die  
14 Lead SBDIP  
L
H
H
L
L
H
L
o
HCTS10K/  
Sample  
+25 C  
14 Lead Ceramic  
Flatpack  
H
H
H
H
L
H
L
o
HCTS10HMSR  
+25 C  
Die  
H
H
H
NOTE: L = Logic Level Low, H = Logic level High  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
Spec Number 518778  
File Number 2434.2  
http://www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
1
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HCTS10DMSR INTERSIL

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 		Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate
HCTS10HMSR INTERSIL

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 		Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate
HCTS10K INTERSIL

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 		Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate
HCTS10K/SAMPLE RENESAS

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 		HCT SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, CDFP14, CERAMIC, DFP-14
HCTS10KMSR INTERSIL

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 		Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate
HCTS10MS INTERSIL

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 		Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate
HCTS112D INTERSIL

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 		Radiation Hardened Dual JK Flip-Flop
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 		HCT SERIES, DUAL NEGATIVE EDGE TRIGGERED J-K FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP16
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 		Radiation Hardened Dual JK Flip-Flop
HCTS112HMSR INTERSIL

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