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HC6856/2XBRZT

更新时间: 2024-11-12 20:26:19
品牌 Logo 应用领域
霍尼韦尔 - HONEYWELL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 1139K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CQFP36

HC6856/2XBRZT 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:GQFF, TPAK36,1.5,25Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88最长访问时间:40 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XQFP-F36
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:36字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:GQFF
封装等效代码:TPAK36,1.5,25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, GUARD RING并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.0004 A
最小待机电流:2.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.0075 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子节距:0.635 mm
端子位置:QUAD总剂量:200k Rad(Si) V
Base Number Matches:1

HC6856/2XBRZT 数据手册

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