HAT2028RJ-EL-E

更新时间： 2024-02-04 16:55:40

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瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
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8页	101K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

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HAT2028RJ-EL-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	3.95 X 4.90 MM, PLASTIC, FP-8DAV, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.44	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	0.16 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

HAT2028R, HAT2028RJ

Silicon N Channel Power MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G1163-0500

(Previous: ADE-208-524C)

Rev.5.00

Sep 07, 2005

Features

•

For Automotive Application (at Type Code “J”)

Low on-resistance

Capable of 4 V gate drive

High density mounting

Outline

RENESAS Package code: PRSP0008DD-D

(Package name: SOP-8 <FP-8DAV> )

7 8

D D

5 6

D D

1, 3

2, 4

5, 6, 7, 8

Source

Gate

Drain

S 1

S 3

MOS1

MOS2

Rev.5.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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HAT2029R-EL-E	RENESAS	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格