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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.44 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 90 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 90 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0051 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H7N0307AB | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H7N0307AB | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.0115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| H7N0307AB_05 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H7N0307AB-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H7N0307LD | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H7N0307LD|H7N0307LS|H7N0307LM | ETC |
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| H7N0307LD-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H7N0307LM | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H7N0307LMTL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H7N0307LS | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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