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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> H7N0307LD-E
H7N0307LD-E PDF预览

H7N0307LD-E

更新时间： 2024-10-03 07:02:39
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关ISM频段
页数 文件大小 规格书
8页 105K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H7N0307LD-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：LDPAK(L)包装说明：LDPAK-3
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.45
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：60 A
最大漏源导通电阻：0.0115 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：90 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

H7N0307LD-E 数据手册

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H7N0307LD, H7N0307LS, H7N0307LM  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1121-0700  
(Previous: ADE-208-1516E)  
Rev.7.00  
Apr 07, 2006  
Features  
•
Low on-resistance  
RDS (on) = 4.6 mΩ typ.  
•
•
Low drive current  
4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B  
(Package name: LDPAK (L) )  
(Package name: LDPAK (S)-(1) )  
4
4
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
1
2
3
H7N0307LD  
H7N0307LS  
D
RENESAS Package code: PRSS0004AE-C  
(Package name: LDPAK (S)-(2) )  
4
G
1
2
3
S
H7N0307LM  
Rev.7.00 Apr 07, 2006 page 1 of 7  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
H7N0307LM RENESAS

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 		Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H7N0307LMTL-E RENESAS

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 		Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H7N0307LS RENESAS

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 		Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H7N0307LS-E RENESAS

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 		60A, 30V, 0.0115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3
H7N0307LSTL-E RENESAS

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 		暂无描述
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