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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> H7N0308LSTL-E
H7N0308LSTL-E PDF预览

H7N0308LSTL-E

更新时间： 2024-10-03 07:02:39
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关ISM频段
页数 文件大小 规格书
8页 102K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H7N0308LSTL-E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-83
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.27Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.0085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：250
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

H7N0308LSTL-E 数据手册

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H7N0308LD, H7N0308LS, H7N0308LM  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1124-0500  
(Previous: ADE-208-1535C)  
Rev.5.00  
Apr 07, 2006  
Features  
•
Low on-resistance  
RDS (on) = 3.8 mΩ typ.  
•
•
Low drive current  
4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B  
(Package name: LDPAK (L) )  
(Package name: LDPAK (S)-(1) )  
4
4
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
1
2
3
H7N0308LD  
H7N0308LS  
D
RENESAS Package code: PRSS0004AE-C  
(Package name: LDPAK (S)-(2) )  
4
G
1
2
3
S
H7N0308LM  
Rev.5.00 Apr 07, 2006 page 1 of 7  
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