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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | HBGA, BGA78,9X13,32 |
| 针数： | 78 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 20 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 667 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B78 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 11 mm | 内存密度： | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 78 | 字数： | 536870912 words |
| 字数代码： | 512000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | HBGA |
| 封装等效代码： | BGA78,9X13,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 4,8 |
| 最大待机电流： | 0.012 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.18 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.575 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.425 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 7.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H5TQ2G43CFR-PBC | HYNIX |
获取价格 |
2Gb DDR3 SDRAM |
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| H5TQ2G43CFR-RDC | HYNIX |
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2Gb DDR3 SDRAM |
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| H5TQ2G43CFR-TEC | HYNIX |
获取价格 |
2Gb DDR3 SDRAM |
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| H5TQ2G43CFR-XXC | HYNIX |
获取价格 |
2Gb DDR3 SDRAM |
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| H5TQ2G43EFR | HYNIX |
获取价格 |
2Gb DDR3 SDRAM |
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| H5TQ2G43EFR-G7C | HYNIX |
获取价格 |
2Gb DDR3 SDRAM |
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| H5TQ2G43EFR-H9C | HYNIX |
获取价格 |
2Gb DDR3 SDRAM |
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| H5TQ2G43EFR-PBC | HYNIX |
获取价格 |
2Gb DDR3 SDRAM |
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| H5TQ2G43EFR-RDC | HYNIX |
获取价格 |
2Gb DDR3 SDRAM |
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| H5TQ2G43EFR-TEC | HYNIX |
获取价格 |
2Gb DDR3 SDRAM |
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