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H5TQ2G43EFR-H9C

更新时间： 2024-02-04 03:07:18

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H5TQ2G43EFR-H9C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA78,9X13,32
针数：	78	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.255 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	667 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B78	长度：	11 mm
内存密度：	2147483648 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	78
字数：	536870912 words	字数代码：	512000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	512MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA78,9X13,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.012 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.125 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

2Gb DDR3 SDRAM

Lead-Free&Halogen-Free

(RoHS Compliant)

H5TQ2G43EFR-xxC

H5TQ2G83EFR-xxC

* SK hynix reserves the right to change products or specifications without notice.

Rev. 1.1 / Apr. 2013

12 3 4 5 6 7...33

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5TQ2G43EFR-PBC	HYNIX	获取价格	2Gb DDR3 SDRAM
H5TQ2G43EFR-RDC	HYNIX	获取价格	2Gb DDR3 SDRAM
H5TQ2G43EFR-TEC	HYNIX	获取价格	2Gb DDR3 SDRAM
H5TQ2G43MFR-S6C	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA82, HALOGEN FREE, FBGA-82
H5TQ2G63BFR	HYNIX	获取价格	2Gb DDR3 SDRAM
H5TQ2G63BFR-11C	HYNIX	获取价格	2Gb DDR3 SDRAM
H5TQ2G63BFR-12C	HYNIX	获取价格	2Gb DDR3 SDRAM
H5TQ2G63BFR-G7I	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 128MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96
H5TQ2G63BFR-N0C	HYNIX	获取价格	2Gb DDR3 SDRAM
H5TQ2G63BFR-PBC	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 128MX16, 20ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96