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H5TQ2G43EFR-TEC

更新时间: 2024-01-05 02:56:54
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海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
33页 401K
描述
2Gb DDR3 SDRAM

H5TQ2G43EFR-TEC 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:HBGA, BGA78,9X13,32
针数:78Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.74Is Samacsys:N
访问模式:MULTI BANK PAGE BURST最长访问时间:20 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):933 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B78JESD-609代码:e1
长度:11 mm内存密度:2147483648 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:78字数:536870912 words
字数代码:512000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:512MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:HBGA
封装等效代码:BGA78,9X13,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:4,8
子类别:DRAMs最大供电电压 (Vsup):1.575 V
最小供电电压 (Vsup):1.425 V标称供电电压 (Vsup):1.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:7.5 mmBase Number Matches:1

H5TQ2G43EFR-TEC 数据手册

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2Gb DDR3 SDRAM  
2Gb DDR3 SDRAM  
Lead-Free&Halogen-Free  
(RoHS Compliant)  
H5TQ2G43EFR-xxC  
H5TQ2G83EFR-xxC  
* SK hynix reserves the right to change products or specifications without notice.  
Rev. 1.1 / Apr. 2013  
1

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