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H5PS1G83EFR-S6

更新时间： 2024-11-06 19:50:51

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
44页	565K
描述
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60

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H5PS1G83EFR-S6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.7	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e1	长度：	11.4 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	128MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA60,9X11,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.23 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

H5PS1G43EFR

H5PS1G83EFR

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1Gb DDR2 SDRAM

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Rev. 0.4 / Nov 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5PS1G83EFR-S6C	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
H5PS1G83EFR-S6I	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
H5PS1G83EFR-S6J	HYNIX	获取价格	1Gb DDR2 SDRAM
H5PS1G83EFR-S6L	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
H5PS1G83EFR-Y5C	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
H5PS1G83EFR-Y5J	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
H5PS1G83EFR-Y5L	HYNIX	获取价格	1Gb DDR2 SDRAM
H5PS1G83EFR-Y5Q	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
H5PS1G83JFR	HYNIX	获取价格	1Gb DDR2 SDRAM
H5PS1G83JFRC4C	HYNIX	获取价格	1Gb DDR2 SDRAM