Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> H5N2521FN-E-T2

H5N2521FN-E-T2

更新时间： 2024-10-02 07:02:35

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H5N2521FN-E-T2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220FN	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	2.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

H5N2521FN-E-T2 数据手册

H5N2521FN

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G1619-0101

Rev.1.01

May 13, 2008

Features

•

Low on-resistance

Low leakage current

High speed switching

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003AB-A

(Package name: TO-220FN)

1. Gate

2. Drain

3. Source

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

250

Gate to source voltage

±30

Drain current

Note1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

I_DR

Body-drain diode reverse drain current

Body-drain diode reverse drain peak current

Avalanche current

Note1

I_{DR (pulse)}

Note3

I_AP

2.2

Note3

Avalanche energy

E_AR

°C/W

°C

Channel dissipation

Pch ^Note2

θch-c

Tch

Channel to case thermal impedance

Channel temperature

6.25

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

3. STch = 25°C, Tch ≤ 150°C

REJ03G1619-0101 Rev.1.01 May 13, 2008

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