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H5N2522LS

更新时间： 2024-02-09 20:23:40
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瑞萨 - RENESAS 开关电源开关
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4页 74K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H5N2522LS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：LDPAK(S)-(1)
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.34外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

H5N2522LS 数据手册

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H5N2522LS  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1667-0100  
Rev.1.00  
Apr 23, 2008  
Features  
•
•
•
•
Low on-resistance  
Low leakage current  
High speed switching  
Built-in fast recovery diode  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B  
(Package name: LDPAK(S)-(1) )  
D
4
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
G
1
2
3
S
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Drain to source voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
Unit  
250  
V
V
Gate to source voltage  
±30  
Drain current  
20  
A
Note1  
Drain peak current  
ID (pulse)  
IDR  
60  
A
Body-drain diode reverse drain current  
Body-drain diode reverse drain peak current  
Avalanche current  
20  
A
Note1  
IDR (pulse)  
60  
A
Note3  
IAP  
20  
25  
A
Note3  
Avalanche energy  
EAR  
mJ  
W
°C/W  
°C  
°C  
Channel dissipation  
Pch Note2  
θch-c  
Tch  
75  
Channel to case thermal impedance  
Channel temperature  
1.67  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%  
2. Value at Tc = 25°C  
3. STch = 25°C, Tch ≤ 150°C  
REJ03G1667-0100 Rev.1.00 Apr 23, 2008  
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