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H5AN4G6NMFR-TFC

更新时间: 2024-11-13 19:48:55
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
40页 800K
描述
DDR DRAM, 256MX16, CMOS, PBGA96, FBGA-96

H5AN4G6NMFR-TFC 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:TFBGA,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.64访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PBGA-B96
长度:13 mm内存密度:4294967296 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:96字数:268435456 words
字数代码:256000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:256MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):1.26 V最小供电电压 (Vsup):1.14 V
标称供电电压 (Vsup):1.2 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:9 mmBase Number Matches:1

H5AN4G6NMFR-TFC 数据手册

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4Gb DDR4 SDRAM  
4Gb DDR4 SDRAM  
Lead-Free&Halogen-Free  
(RoHS Compliant)  
H5AN4G4NMFR-xx  
H5AN4G8NMFR-xxC  
H5AN4G6NMFR-xxC  
* SK hynix reserves the right to change products or specifications without notice.  
Rev. 0.1 / Mar. 2013  
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