是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TFBGA, | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.64 | 访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-PBGA-B96 |
长度: | 13 mm | 内存密度: | 4294967296 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 96 | 字数: | 268435456 words |
字数代码: | 256000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 1.26 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.14 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.2 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
H5AN4G6NMFR-UHC | HYNIX |
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DDR DRAM, 256MX16, CMOS, PBGA96, FBGA-96 | |
H5AN4G8NBJR-VKC | HYNIX |
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DDR4 | |
H5AN4G8NBJR-VKI | HYNIX |
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DDR4 | |
H5AN4G8NMFR-TFC | HYNIX |
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DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, FBGA-78 | |
H5AN8G6NCJR-VKC | HYNIX |
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DDR4 | |
H5AN8G6NCJR-WMC | HYNIX |
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DDR4 | |
H5AN8G6NCJR-WMI | HYNIX |
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DDR4 | |
H5AN8G6NCJR-XNC | HYNIX |
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DDR4 | |
H5AN8G6NCJR-XNI | HYNIX |
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DDR4 | |
H5AN8G6NDJR-VKC | HYNIX |
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DDR4 |