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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TFBGA, | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.66 | 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PBGA-B78 |
| 长度： | 11 mm | 内存密度： | 4294967296 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 78 | 字数： | 536870912 words |
| 字数代码： | 512000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.26 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.14 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.2 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H5AN8G6NCJR-VKC | HYNIX |
获取价格 |
DDR4 |
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| H5AN8G6NCJR-WMC | HYNIX |
获取价格 |
DDR4 |
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| H5AN8G6NCJR-WMI | HYNIX |
获取价格 |
DDR4 |
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| H5AN8G6NCJR-XNC | HYNIX |
获取价格 |
DDR4 |
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| H5AN8G6NCJR-XNI | HYNIX |
获取价格 |
DDR4 |
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| H5AN8G6NDJR-VKC | HYNIX |
获取价格 |
DDR4 |
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| H5AN8G6NDJR-WMC | HYNIX |
获取价格 |
DDR4 |
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| H5AN8G6NDJR-XNC | HYNIX |
获取价格 |
DDR4 |
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| H5AN8G8NCJR-VKC | HYNIX |
获取价格 |
DDR4 |
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| H5AN8G8NCJR-VKI | HYNIX |
获取价格 |
DDR4 |
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