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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | VFBGA, BGA54,9X9,32 |
| 针数： | 54 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.82 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.4 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | S-PBGA-B54 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 8 mm |
| 内存密度： | 33554432 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装等效代码： | BGA54,9X9,32 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 座面最大高度： | 1 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H57V1262GFR-60J | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBG |
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| H57V1262GFR-60L | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBG |
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| H57V1262GFR-60X | HYNIX |
获取价格 |
128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V1262GFR-70X | HYNIX |
获取价格 |
128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V1262GFR-75C | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBG |
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| H57V1262GFR-75I | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBG |
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| H57V1262GFR-75J | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBG |
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| H57V1262GFR-75L | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBG |
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| H57V1262GFR-75X | HYNIX |
获取价格 |
128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
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| H57V1262GTR | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM Memory 128Mbit (8Mx16bit) 天英 |
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