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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 40 V | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 120 °C |
| 最大输出电流： | 0.003 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 11000 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.1 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H1771-12 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.003A, 12000V V(RRM), Silicon, |
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| H1771-15 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.003A, 15000V V(RRM), Silicon |
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| H1771-9 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.003A, 9000V V(RRM), Silicon |
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| H18 | MCC |
获取价格 |
500 mW Zener Diode 1.7 to 37.2 Volts |
|
| H-18 | TE |
获取价格 |
Make & Break Load Switching |
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| H-18/115VDC | TE |
获取价格 |
Make & Break Load Switching |
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| H-18/12VDC | TE |
获取价格 |
Make & Break Load Switching |
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| H1800(SERIES) | ETC |
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Peripheral IC |
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| H1800-10M | ETC |
获取价格 |
Peripheral IC |
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| H1800-210M | ETC |
获取价格 |
Peripheral IC |
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