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H1771-12

更新时间: 2024-11-02 14:50:43
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 38K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.003A, 12000V V(RRM), Silicon,

H1771-12 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.76
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):40 V
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:120 °C最大输出电流:0.003 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:12000 V最大反向恢复时间:0.1 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

H1771-12 数据手册

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