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GSBCP54-16

更新时间： 2024-11-21 15:33:27

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描述
Power Bipolar Transistor,

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GSBCP54-16 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GSBCP54-16 数据手册

GSBCP54-55-56

NPN Transistor

Features

■

For AF driver and output stages

■

High collector current

Low collector-emitter saturation voltage Complementary types:

GSBCP51/GSBCP52/GSBCP53 (PNP)

SOT-223

1. BASE

Absolute Maximum Ratings (T_A=25°C unless otherwise noted）

2. COLLECTOR

3. EMITTER

Rating

Parameter

Symbol

Unit

GSBCP56

GSBCP54 GSBCP55

VCBO

VCEO

VEBO

Collector-Base Voltage

100

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance Junction to Ambient

Storage Temperature Range

1.5

83.3

℃/W

℃

RθJA

TSTG

-65 to +150

Electrical Characteristics (T_A=25°C unless otherwise noted）

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Max

Unit

GSBCP54

GSBCP55

GSBCP56

Collector-Base

Breakdown Voltage

V(BR)CBO

IC=0.1mA,IE=0

100

GSBCP54

GSBCP55

GSBCP56

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V(BR)CEO

V(BR)EBO

IC=10mA,IB =0

IE=10μA,IC=0

Base-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

ICBO

hFE(1)

hFE(2)

hFE(3)

VCE(sat)

VBE

VCB=30 V, IE=0

100

VCE=2V, IC=5mA

VCE=2V, IC=150mA

VCE=2V, IC=500mA

IC=500mA,IB=50mA

DC Current Gain

250

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

0.5

VCE=2V, IC=500mA

VCE=10V,IC=50

mA,f=100MHz

Transition Frequency

100

MHz

Classification of h

FE(2)

GSBCP54-10, GSBCP55-10, GSBCP56-10 GSBCP54-16, GSBCP55-16, GSBCP56-16

Rank

63-160 100-250

Range

1/4

12 3 4

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