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GSBCX69-16

更新时间： 2024-11-22 09:28:31

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固锝 - GOOD-ARK		/
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2页	508K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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GSBCX69-16 数据手册

GSBCX69

PNP Transistor

Features

■

For general AF applications

■

High collector current

■ High current gain

Low collector-emitter saturation voltage

Complementary type: GSBCX68 (NPN)

■

SOT-89-3L

■

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

Absolute Maximum Ratings ^(T_A^{=25°C unless otherwise noted）}

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Value

Unit

-25

-20

-5

-1

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^C

℃

0.8

150

TSTG

-55 to +150

Electrical Characteristics ^(T_A^{=25°C unless otherwise noted）}

Parameter

Symbol

Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

V_(BR)CBOI_C=-10μA , I_E=0

V_(BR)CEOI_C=-30mA , I_B=0

-25

-20

-5

V_(BR)EBO

I_CBO

I_E=-1μA, I_C=0

V_CB=-25V, I_E=0

V_EB=-5V, I_C=0

-0.1

μA

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

100

160

375

160

250

375

B C X 6 9

h_{FE (1)}

V_CE=-1V, I_C=-500mA

B C X 6 9 - 1 0

B C X 6 9 - 1 6

B C X 6 9 - 2 5

DC Current Gain

h_FE(2)

V_CE=-10V, I_C=-5mA

V_CE=-1V, I_C=-1A

h_FE(3)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

V_CE(sat)

I_C=-1A, I_B=-100mA

-0.5

-1

I_C=-5mA, V_CE=-10V

I_C=-1A, V_CE=-1V

-0.6

100

V_BE(ON)

V_CE=-5V, I_C=-100mA

Transition Frequency

f _T

MHz

f=20MHz

Pulse test: t ≤=300µs, D = 2%

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