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GSBCP68-16

更新时间： 2024-11-21 18:48:51

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固锝 - GOOD-ARK		/
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2页	633K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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GSBCP68-16 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

GSBCP68-16 数据手册

GSBCP68

NPN Transistor

Features

■

For general AF applications

■

High collector current

High current gain

Low collector-emitter saturation voltage

SOT-223

■ Complementary type: GSBCP69 (PNP)

1. BASE

Absolute Maximum Ratings (T_A=25°C unless otherwise noted）

2. COLLECTOR

3. EMITTER

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Symbol

VCBO

Value

Unit

VCEO

VEBO

Collector Current –Continuous

PC*

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

℃

-65 to +150

TSTG

Electrical Characteristics (T_A=25°C unless otherwise noted）

Parameter

Collector-Base

Breakdown Voltage

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Emitter-Base

Symbol

Test Conditions

IC=100μA,IE=0

Min

Typ

Max

Unit

V(BR)CBO

V(BR)CEO

V(BR)EBO

IC=1mA,IB=0

IE=100μA ,IC=0

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

ICBO

IEBO

VCB=25V,IE=0

0.1

375

μA

VEB=5V,IC=0

hFE(1)

hFE(2)

hFE(3)

VCE=1V,IC=500mA

VCE=1V,IC=1A

VCE=10V,IC=5mA

DC Current Gain

Collector-Emitter

Saturation Voltage

VCE(sat)

IC=1A,IB=100mA

0.5

VBE1

VBE2

VCE=10V,IC=5mA

0.68

Base-Emitter Voltage

VCE=1V,IC=1A

Transition Frequency

VCE=5V,IC=10mA,f=100MHz

MHz

Collector

Output

Cob

VCB=5V,IE=0,f=1MHz

Capacitance

Classification of h

FE(1)

GSBCP68-10

GSBCP68-16

100-250

GSBCP68-25

160-375

Rank

85-160

Range

1/2

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