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GSBAT54AT

更新时间: 2024-11-07 14:29:51
品牌 Logo 应用领域
固锝 - GOOD-ARK 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 431K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,

GSBAT54AT 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.64
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.15 W最大重复峰值反向电压:30 V
最大反向恢复时间:0.005 µs表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

GSBAT54AT 数据手册

 浏览型号GSBAT54AT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GSBAT54AT的Datasheet PDF文件第3页 
GSBAT54xT Series  
Schottky Diode  
Features  
3
Low forward voltage drop  
Fast switching  
1
PN junction guard ring for transient and ESD protection  
2
SOT-523  
Schematic Diagram and Marking  
GSBAT54T  
GSBAT54AT  
Marking: L1  
Marking: L2  
GSBAT54ST  
GSBAT54CT  
Marking: L3  
Marking: L4  
Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Reverse Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
30  
V
30  
30  
V
V
Forward Continuous Voltage  
IF  
200  
300  
600  
mA  
mA  
mA  
Repetitive Peak Forward Voltage  
IFRM  
IFSM  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
@t<1.0s  
Power Dissipation  
PD  
150  
833  
mW  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
RθJA  
TJ,TSTG  
-65 to +150  

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