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GSBC847BT

更新时间： 2024-11-21 20:10:31

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固锝 - GOOD-ARK		/
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4页	689K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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GSBC847BT 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
Base Number Matches：	1

GSBC847BT 数据手册

GSBC847xT

NPN Transistor

Features

■

Ideal for automatic insertion

■

For switching and AF amplifier applications

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

SOT-523

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Symbol

VCBO

Value

Unit

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

VCEO

VEBO

Collector Current –Continuous

0.1

PC*

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

150

℃

150

TSTG

-55 to +150

℃

Electrical Characteristics (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V^(BR)CBO

V^(BR)CEO

Test Conditions

IC= 10µA, IE=0

Min

Typ

Max

Unit

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

IC= 10mA, IB=0

V^(BR)EBO

I^CBO

IE= 1 µA, IC=0

VCB=30V

Collector Cutoff Current

GSBC847AT

110

200

420

220

450

800

GSBC847BT

GSBC847CT

DC Current Gain

hFE

V^CE= 5V, IC= 2mA

0.25

0.6

I_C=10mA, I_B=0. 5mA

I_C=100mA, I_B= 5mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

0.7

0.9

660

I_C=10mA, I_B=0. 5mA

I_C=100mA, I_B= 5mA

Base-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

VBE(sat)

V_CE= 5V, I_C= 2mA

V_CE= 5V, I_C= 10mA

700

770

VBE(on)

580

100

V^CE= 5 V, IC= 10mA

f=100MHz

Transition Frequency

MHz

Collector Output Capacitance

C^ob

VCB=10V,f=1MHz

4.5

GSBC847BT

Noise Figure

V_CE=5V,f=1kHz,

R_S=2kΩ,BW=200Hz

GSBC847CT

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