是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | LBGA, BGA165,11X15,40 |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
Factory Lead Time: | 12 weeks | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 0.45 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 300 MHz |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
长度: | 17 mm | 内存密度: | 75497472 bit |
内存集成电路类型: | QDR SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 2MX36 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装等效代码: | BGA165,11X15,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 1.5,1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.5 mm | 最小待机电流: | 1.7 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 1.5 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS8672Q37BE-333 | GSI |
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JEDEC-standard pinout and package | |
GS8672Q37BE-333I | GSI |
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72Mb SigmaQuadTM-II Burst of 2 ECCRAMTM | |
GS8672Q37BGE-333 | GSI |
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QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | |
GS8672Q37BGE-333I | GSI |
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QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | |
GS8672Q37BGE-333IT | GSI |
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QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | |
GS8672Q37BGE-333T | GSI |
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QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | |
GS8672Q37BGE-375I | GSI |
获取价格 |
72Mb SigmaQuadTM-II Burst of 2 ECCRAMTM | |
GS8672Q37BGE-450 | GSI |
获取价格 |
72Mb SigmaQuadTM-II Burst of 2 ECCRAMTM | |
GS8672Q38BE-400 | GSI |
获取价格 |
QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 | |
GS8672Q38BE-400I | GSI |
获取价格 |
On-Chip ECC with virtually zero SER |