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GS8662Q09BGD-300T

更新时间： 2024-11-12 20:58:07

品牌	Logo	应用领域
GSI		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	1255K
描述
QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

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GS8662Q09BGD-300T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA, BGA165,11X15,40	针数：	165
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.45
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	300 MHz	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e1
长度：	15 mm	内存密度：	75497472 bit
内存集成电路类型：	QDR SRAM	内存宽度：	9
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX9	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装等效代码：	BGA165,11X15,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.5/1.8,1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.85 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	13 mm	Base Number Matches：	1

GS8662Q09BGD-300T 数据手册

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GS8662Q08/09/18/36BD-357/333/300/250/200

357 MHz–200 MHz

165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

72Mb SigmaQuad-II^TM

Burst of 2 SRAM

1.8 V V

1.8 V and 1.5 V I/O

Features

Clocking and Addressing Schemes

• Simultaneous Read and Write SigmaQuad™ Interface

• JEDEC-standard pinout and package

• Dual Double Data Rate interface

• Byte Write controls sampled at data-in time

• Burst of 2 Read and Write

• 1.8 V +100/–100 mV core power supply

• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface

The GS8662Q08/09/18/36BD SigmaQuad-II SRAMs are

synchronous devices. They employ two input register clock

inputs, K and K. K and K are independent single-ended clock

inputs, not differential inputs to a single differential clock input

buffer. The device also allows the user to manipulate the

output register clock inputs quasi independently with the C and

C clock inputs. C and C are also independent single-ended

clock inputs, not differential inputs. If the C clocks are tied

high, the K clocks are routed internally to fire the output

registers instead.

• Pipelined read operation

• Fully coherent read and write pipelines

• ZQ pin for programmable output drive strength

• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan

• Pin-compatible with present 144 Mb devices

• 165-bump, 13 mm x 15 mm, 1 mm bump pitch BGA package

• RoHS-compliant 165-bump BGA package available

Each internal read and write operation in a SigmaQuad-II B2

RAM is two times wider than the device I/O bus. An input data

bus de-multiplexer is used to accumulate incoming data before

it is simultaneously written to the memory array. An output

data multiplexer is used to capture the data produced from a

single memory array read and then route it to the appropriate

output drivers as needed. Therefore the address field of a

SigmaQuad-II B2 RAM is always one address pin less than the

advertised index depth (e.g., the 8M x 8 has an 4M addressable

index).

SigmaQuad™ Family Overview

The GS8662Q08/09/18/36BD are built in compliance with

the SigmaQuad-II SRAM pinout standard for Separate I/O

synchronous SRAMs. They are 75,497,472-bit (72Mb)

SRAMs. The GS8662Q08/09/18/36BD SigmaQuad SRAMs

are just one element in a family of low power, low voltage

HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds needed to

implement economical high performance networking systems.

Parameter Synopsis

-357

2.8 ns

0.45 ns

-333

3.0 ns

0.45 ns

-300

3.3 ns

0.45 ns

-250

4.0 ns

0.45 ns

-200

5.0 ns

0.45 ns

tKHKH

tKHQV

Rev: 1.02c 12/2011

1/34

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

12 3 4 5 6 7...34

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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GS8662Q09BGD-333I	GSI	获取价格	165 BGA
GS8662Q09BGD-333IT	GSI	获取价格	QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
GS8662Q09BGD-357	GSI	获取价格	165 BGA
GS8662Q09BGD-357I	GSI	获取价格	QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
GS8662Q09BGD-357IT	GSI	获取价格	QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
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GS8662Q09E-167I	GSI	获取价格	72Mb SigmaQuad-II Burst of 2 SRAM
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GS8662Q09E-200	GSI	获取价格	72Mb SigmaQuad-II Burst of 2 SRAM

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