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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | LBGA, BGA165,11X15,40 | 针数： | 165 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.47 |
| 最长访问时间： | 0.45 ns | 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 300 MHz | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 15 mm | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 165 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LBGA | 封装等效代码： | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 1.5/1.8,1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.4 mm | 最大待机电流： | 0.255 A |
| 最小待机电流： | 1.7 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.85 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 13 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GS8662Q07BD-333 | GSI | JEDEC-standard pinout and package |
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| GS8662Q07BD-333I | GSI | JEDEC-standard pinout and package |
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| GS8662Q07BD-357 | GSI | 72Mb SigmaQuad-IITM Burst of 2 SRAM |
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| GS8662Q07BD-357I | GSI | DDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
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| GS8662Q07BD-357IT | GSI | DDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
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| GS8662Q07BGD-200 | GSI | 72Mb SigmaQuad-IITM Burst of 2 SRAM |
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