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GS8640FZ18T-7.5

更新时间: 2024-02-05 20:11:43
品牌 Logo 应用领域
GSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 255K
描述
ZBT SRAM, 4MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

GS8640FZ18T-7.5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:LQFP,
针数:100Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.38最长访问时间:7.5 ns
其他特性:FLOW-THROUGH ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLYJESD-30 代码:R-PQFP-G100
长度:20 mm内存密度:75497472 bit
内存集成电路类型:ZBT SRAM内存宽度:18
功能数量:1端子数量:100
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX18
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大供电电压 (Vsup):2 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mmBase Number Matches:1

GS8640FZ18T-7.5 数据手册

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GS8640FZ18/36T-5.5/6.5/7.5/8  
GS8640FZ18T Pinout  
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81  
A
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Rev: 1.01 10/2013  
2/21  
© 2006, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  

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