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GS84018T117

更新时间: 2024-11-29 14:42:23
品牌 Logo 应用领域
GSI 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 1300K
描述
Standard SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100

GS84018T117 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QFP, QFP100,.63X.87Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.B风险等级:5.92
最长访问时间:8.5 ns最大时钟频率 (fCLK):117 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0内存密度:4718592 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:18
湿度敏感等级:3端子数量:100
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QFP封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:2.5/3.3,3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.02 A
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.21 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.635 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

GS84018T117 数据手册

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