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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | LBGA, | 针数： | 165 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.71 |
| 最长访问时间： | 0.45 ns | 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 17 mm | 内存密度： | 37748736 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 165 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX9 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.4 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GS8342T09GE-250I | GSI | 36Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 2 SRAM |
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| GS8342T09GE-300 | GSI | 36Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 2 SRAM |
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| GS8342T09GE-300I | GSI | 36Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 2 SRAM |
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| GS8342T09GE-300IT | GSI | Standard SRAM, 4MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA- |
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| GS8342T09GE-333 | GSI | 36Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 2 SRAM |
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| GS8342T09GE-333I | GSI | 36Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 2 SRAM |
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