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GS816273GC-150I PDF预览

GS816273GC-150I

更新时间： 2024-11-21 20:51:47
品牌 Logo 应用领域
GSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 733K
描述
Cache SRAM, 256KX72, 3.3ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209

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GS816273GC-150I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：LBGA,
针数：209Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.71最长访问时间：3.3 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLYJESD-30 代码：R-PBGA-B209
JESD-609代码：e1长度：22 mm
内存密度：18874368 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：72湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：209
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX72
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.7 mm
最大供电电压 (Vsup)：2.7 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：14 mm
Base Number Matches：1

GS816273GC-150I 数据手册

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GS816V73C-200  
209-Pin BGA  
Commercial Temp  
Industrial Temp  
200 MHz  
1.8 V VDD  
1.8 V I/O  
256K x 72  
18Mb S/DCD Sync Burst SRAM  
Supplemental Datasheet  
Functional Description  
Current Consumption  
The GS816V73C-200 complies with all specifications of the  
GS816273C-250/225/200, Revision 1.01, 12/2002 (attached),  
except where superceded by the following tables:  
• Absolute Maximum Ratings  
-200  
Unit  
Pipeline  
3-1-1-1  
t
3.0  
5.0  
ns  
ns  
KQ  
tCycle  
• Power supply Ranges  
• V  
Range Logic Levels  
1.8 V  
Curr (x72)  
340  
mA  
DDQ  
• Operating Currents  
• JTAG Port Recommended Operating Conditions  
• Ordering Information  
• Datasheet Revision History  
Features  
• 1.8 V core power supply  
• 1.8 V I/O supply  
Absolute Maximum Ratings  
(All voltages reference to V  
)
SS  
Symbol  
Description  
Value  
Unit  
V
V
Voltage on V Pins  
–0.5 to 3.6  
DD  
DD  
V
Voltage in V  
Pins  
DDQ  
–0.5 to 3.6  
V
DDQ  
V
Voltage on Clock Input Pin  
Voltage on I/O Pins  
–0.5 to 3.6  
+0.5 (≤ 3.6 V max.)  
DDQ  
V
CK  
V
–0.5 to V  
V
I/O  
V
Voltage on Other Input Pins  
Input Current on Any Pin  
Output Current on Any I/O Pin  
Package Power Dissipation  
Storage Temperature  
–0.5 to V +0.5 (≤ 3.6 V max.)  
V
IN  
DD  
I
+/–20  
+/–20  
mA  
mA  
W
IN  
I
OUT  
P
1.5  
D
o
T
–55 to 125  
–55 to 125  
STG  
C
o
T
Temperature Under Bias  
BIAS  
C
Note:  
Permanent damage to the device may occur if the Absolute Maximum Ratings are exceeded. Operation should be restricted to Recommended Operating Condi-  
tions. Exposure to conditions exceeding the Absolute Maximum Ratings, for an extended period of time, may affect reliability of this component.  
Rev: 1.02 12/2002  
1/4  
© 2002, Giga Semiconductor, Inc.  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
ByteSafe is a Trademark of Giga Semiconductor, Inc. (GSI Technology).  
1234567...29

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GS816273GC-150IT GSI

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 		Cache SRAM, 256KX72, 3.3ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
GS816273GC-150T GSI

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 		Cache SRAM, 256KX72, 3.3ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
GS816273GC-166 GSI

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 		Cache SRAM, 256KX72, 2.9ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
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 		Cache SRAM, 256KX72, 2.9ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
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 		Cache SRAM, 256KX72, 2.6ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
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 		Cache SRAM, 256KX72, 2.6ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
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 		Cache SRAM, 256KX72, 2.6ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
GS8162V18AB-250IT GSI

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 		Cache SRAM, 1MX18, 5.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119
GS8162V18AB-300IT GSI

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