是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LBGA, | 针数: | 165 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.75 |
最长访问时间: | 7.5 ns | 其他特性: | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 15 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX32 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.4 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 13 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS8161E32BD-150IV | GSI |
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1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs | |
GS8161E32BD-150IVT | GSI |
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Cache SRAM, 512KX32, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 | |
GS8161E32BD-150T | GSI |
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暂无描述 | |
GS8161E32BD-150V | GSI |
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1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs | |
GS8161E32BD-150VT | GSI |
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Cache SRAM, 512KX32, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 | |
GS8161E32BD-200 | GSI |
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1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs | |
GS8161E32BD-200I | GSI |
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1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs | |
GS8161E32BD-200IT | GSI |
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Cache SRAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 | |
GS8161E32BD-200IV | GSI |
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1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs | |
GS8161E32BD-200IVT | GSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |