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GS73024AB-8

更新时间： 2024-10-02 03:01:15

品牌	Logo	应用领域
GSI		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
12页	637K
描述
Asynchronous SRAM

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GS73024AB-8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119	针数：	119
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	8 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	3145728 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	24	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX24
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.99 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

GS73024AB-8 数据手册

GS73024AB

3.3 V V

Commercial Temp

Industrial Temp

and V

Asynchronous SRAM

Features

• Fast access time: 8, 10, 12 ns

119-Bump Ball Grid Array Package

• CMOS low power operation: 250/200/170 mA at minimum

cycle time

• Single 3.3 V ± 0.3V power supply

• All inputs and outputs are TTL-compatible

• Fully static operation

• Industrial Temperature Option: –40 to 85°C

• Package

B: 14 mm x 22 mm, 119-bump, 1.27mm pitch BGA

Description

The GS73024A is a high speed CMOS Static RAM organized

as 131,072 words by 24 bits. Static design eliminates the need

for external clocks or timing strobes. Operating on a single

3.3 V power supply, and all inputs and outputs are

TTL-compatible. The GS73024A is available in a 119-bump

BGA package.

Block Diagram

Row

Decoder

Memory Array

Address

Input

A16

Column

Decoder

I/O Buffer

Control

DQ1

DQ24

Pin Descriptions

Symbol

A0 to A16

Description

Address input

Symbol

DQ1 to DQ24

Description

Data input/output

Write enable input

Chip enable input

Output enable input

Ground

+3.3 V power supply

Rev: 1.03 12/2005

1/12

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

12 3 4 5 6 7...12

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GS73024AB-8 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS61LV12824-8BL	ISSI	类似代替	128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
GS73024AB-8I	GSI	功能相似	Asynchronous SRAM
IS61LV12824-8BI	ISSI	功能相似	128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

与GS73024AB-8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GS73024AB-8I	GSI	获取价格	Asynchronous SRAM
GS73024AB-8IT	GSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX24, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119
GS73024AB-8T	GSI	获取价格	暂无描述
GS73024AGB-10I	GSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FP
GS73024AGB-10IT	GSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FP
GS73024AGB-10T	GSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FP
GS73024AGB-12	GSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FP
GS73024AGB-12I	GSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FP
GS73024AGB-12IT	GSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FP
GS73024AGB-8	GSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX24, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPB

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