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GM76C8128CL-W55

更新时间： 2024-11-10 21:13:27
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 108K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDIP32, DIP6-32

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GM76C8128CL-W55 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIP, DIP32,.6Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.92最长访问时间：55 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDIP-T32
JESD-609代码：e0内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP32,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
电源：3/5 V认证状态：Not Qualified
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.07 mA表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

GM76C8128CL-W55 数据手册

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GM76C8128CL/CLL-W  
LG Semicon Co.,Ltd.  
131,072 WORDS x 8 BIT  
CMOS STATIC RAM  
Description  
Pin Configuration  
The GM76C8128CL/CLL-W is a 1,048,576 bits  
static random access memory organized as 131,072  
words by 8 bits. Using a 0.6um advanced CMOS  
technology and operated from a single 2.7V to 5.5V  
supply. Advanced circuit technique provide both high  
speed and low power consumption. The device is  
placed in a low power standby mode with /CS1 high  
or CS2 low and the output enable (/OE) allows fast  
memory access. Thus it is suitable for high speed and  
low power applications, especially where battery  
back-up is required.  
NC  
A16  
A14  
1
32 VCC  
2
3
4
5
6
31  
A15  
30 CS2  
29 /WE  
A12  
A7  
28  
A13  
A6  
27 A8  
26 A9  
25 A11  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
7
8
9
24  
/OE  
Features  
10  
11  
23  
A10  
* Fast Speed : 55/70ns at Vcc=5V+/ - 10%  
120/150ns at Vcc=3V+/ - 10%  
22  
/CS1  
12  
21  
I/O7  
* Low Power Standby and Low Power Operation  
-Standby : 0.11mW Max. at Vcc=5V+/ - 10%  
49.5uW Max. at Vcc=3V+/ - 10%  
-Operation : 385mW Max. at Vcc=5V+/ - 10%  
66mW Max. at Vcc=3V+/ - 10%  
I/O0 13  
I/O1 14  
20 I/O6  
19 I/O5  
15  
18  
I/O2  
I/O4  
16  
17  
VSS  
I/O3  
* Completely Static RAM : No Clock or Timing  
Strobe Required  
* Equal Access and Cycle Time  
* TTL compatible inputs and outputs  
* Capability of Battery Back-up Operation  
* Single +2.7V ~ +5.5V Operation  
* Standard 32 DIP, SOP and TSOP I  
(Top View)  
Block Diagram  
A0  
A1  
A2  
MEMORY CELL ARRAY  
1024 x 128 x 8  
10  
1024  
X
Decoder  
(128K x 8)  
Address  
Buffer  
Pin Description  
Pin  
A0-A16  
/WE  
Function  
Address Inputs  
A14  
A15  
A16  
128 x 8  
7
128  
Y
Column Select  
Decorder  
Write Enable Input  
Chip Select Input  
Output Enable Input  
Data Inputs/Outputs  
Power Supply (2.7V~5.5V)  
Ground  
/CS1, CS2  
/OE  
/CS1, CS2  
8
/CS1  
CS2  
Chip  
Control  
I/O0-I/O7  
VCC  
/OE, /WE  
/OE  
I/O Buffer  
Chip  
Control  
/WE  
VSS  
NC  
No Connection  
121  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GM76C8128CLW-55 ETC

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