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GM76C8128CLWFW-55

更新时间： 2024-01-06 18:58:41

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其他 - ETC		内存集成电路静态存储器光电二极管
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描述
x8 SRAM

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GM76C8128CLWFW-55 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP32,.56
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00005 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

GM76C8128CLWFW-55 数据手册

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GM76C8128CL/CLL-W

LG Semicon Co.,Ltd.

131,072 WORDS x 8 BIT

CMOS STATIC RAM

Description

Pin Configuration

The GM76C8128CL/CLL-W is a 1,048,576 bits

static random access memory organized as 131,072

words by 8 bits. Using a 0.6um advanced CMOS

technology and operated from a single 2.7V to 5.5V

supply. Advanced circuit technique provide both high

speed and low power consumption. The device is

placed in a low power standby mode with /CS1 high

or CS2 low and the output enable (/OE) allows fast

memory access. Thus it is suitable for high speed and

low power applications, especially where battery

back-up is required.

A16

A14

32 VCC

A15

30 CS2

29 /WE

A12

A13

27 A8

26 A9

25 A11

/OE

Features

A10

* Fast Speed : 55/70ns at Vcc=5V+/ - 10%

120/150ns at Vcc=3V+/ - 10%

/CS1

I/O7

* Low Power Standby and Low Power Operation

-Standby : 0.11mW Max. at Vcc=5V+/ - 10%

49.5uW Max. at Vcc=3V+/ - 10%

-Operation : 385mW Max. at Vcc=5V+/ - 10%

66mW Max. at Vcc=3V+/ - 10%

I/O0 13

I/O1 14

20 I/O6

19 I/O5

I/O2

I/O4

VSS

I/O3

* Completely Static RAM : No Clock or Timing

Strobe Required

* Equal Access and Cycle Time

* TTL compatible inputs and outputs

* Capability of Battery Back-up Operation

* Single +2.7V ~ +5.5V Operation

* Standard 32 DIP, SOP and TSOP I

(Top View)

Block Diagram

MEMORY CELL ARRAY

1024 x 128 x 8

1024

Decoder

(128K x 8)

Address

Buffer

Pin Description

A0-A16

/WE

Function

Address Inputs

A14

A15

A16

128 x 8

128

Column Select

Decorder

Write Enable Input

Chip Select Input

Output Enable Input

Data Inputs/Outputs

Power Supply (2.7V~5.5V)

Ground

/CS1, CS2

/OE

/CS1, CS2

/CS1

CS2

Chip

Control

I/O0-I/O7

VCC

/OE, /WE

/OE

I/O Buffer

Chip

Control

/WE

VSS

No Connection

121

12 3 4 5 6 7...13

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