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GM71VS64403CLT-6

更新时间： 2024-01-26 03:05:17

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其他 - ETC		内存集成电路光电二极管动态存储器
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x4 EDO Page Mode DRAM

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GM71VS64403CLT-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP32,.46
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	20.95 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP32,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.0003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

GM71VS64403CLT-6 数据手册

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GM71V64403C

GM71VS64403CL

tRP

tRASP

RAS

CAS

tCP

tCRP

tCAS

tRCD

tCSH

tWP

tRSH

tWCS

tRRH

tWCH

tRCS

tRCH

tCPW

tRAL

tAWD

tASC

tRAH

tASC

tCAH

tASR

COLUMN

ROW

ADDRESS

RDD

tDS

tCAL

tDH

tDS

CDD

tDH

High - Z

DIN 1

DIN 3

Din

tWDD

tODD

tOEP

CAC

OAC

ACP

CAC

OAC

ACP

OFR

CAC

WEZ

DOH

OEZ

OFF

tAA

OHO

tOH

tACP

High - Z

DOUT 2

DOUT

DOUT 3

Dout

*20

FIGURE 13. EXTENDED DATA OUT MODE MIX CYCLE (1)

Rev 0.1 / Apr’01

1...18 19 202122 23 24 25

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