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GM71VS64403CLT-6

更新时间: 2024-02-23 19:43:59
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
25页 450K
描述
x4 EDO Page Mode DRAM

GM71VS64403CLT-6 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP32,.46
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.23Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:20.95 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP32,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.0003 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.13 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

GM71VS64403CLT-6 数据手册

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GM71V64403C  
GM71VS64403CL  
tRP  
tRASP  
RAS  
t
HPRWC  
tCRP  
tT  
t
RSH  
tCP  
tCP  
tRCD  
tCAS  
tCAS  
t
CAS  
CAS  
tRAD  
tASR  
tASC  
tASC  
tASC  
tRAH  
tCAH  
tCAH  
tCAH  
ROW  
COLUMN 1  
COLUMN 2  
COLUMN N  
ADDRESS  
t
CPW  
AWD  
CWD  
t
CPW  
t
RWD  
AWD  
CWD  
tCWL  
tCWL  
t
CWL  
t
t
t
AWD  
t
t
t
CWD  
t
RWL  
tRCS  
tRCS  
tRCS  
WE  
tWP  
tWP  
tWP  
tDZC  
tDS  
tDS  
tDS  
tDZC  
tDZC  
tDH  
tDH  
tDH  
High-Z  
DIN  
OE  
DIN 1  
DIN 2  
DIN N  
tDZO  
tDZO  
t
OEP  
t
OEP  
t
OEP  
t
DZO  
tODD  
tODD  
tOEH  
tOEH  
tOEH  
tODD  
t
OEZ  
t
OEZ  
tOEZ  
t
OHO  
tOHO  
t
OHO  
t
t
OAC  
CAC  
AA  
t
OAC  
t
OAC  
t
CAC  
tCAC  
t
AA  
t
AA  
t
tACP  
t
ACP  
tRAC  
tCLZ  
tCLZ  
tCLZ  
DOUT 1  
DOUT 2  
DOUT N  
High-Z  
DOUT  
*18  
FIGURE 12. EXTENDED DATA OUT MODE READ MODIFY WRITE CYCLE  
Rev 0.1 / Apr’01  
20  

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