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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间： | 50 ns | 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ32,.44 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.0003 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.14 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GM71VS64403CLJ-6 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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| GM71VS64403CLT-5 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
|
| GM71VS64403CLT-6 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
|
| GM71VS64803ALJ-5 | ETC |
获取价格 |
x8 EDO Page Mode DRAM |
|
| GM71VS64803ALJ-6 | ETC |
获取价格 |
x8 EDO Page Mode DRAM |
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| GM71VS64803ALT-5 | ETC |
获取价格 |
x8 EDO Page Mode DRAM |
|
| GM71VS64803ALT-6 | ETC |
获取价格 |
x8 EDO Page Mode DRAM |
|
| GM71VS64803CJ-6 | HYNIX |
获取价格 |
DRAM |
|
| GM71VS64803CLJ-5 | ETC |
获取价格 |
x8 EDO Page Mode DRAM |
|
| GM71VS64803CLJ-6 | ETC |
获取价格 |
x8 EDO Page Mode DRAM |
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