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GM71VS18163BLJ-7

更新时间: 2024-02-26 20:26:17
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
28页 1763K
描述
x16 EDO Page Mode DRAM

GM71VS18163BLJ-7 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J42JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16端子数量:42
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ42,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
自我刷新:YES最大待机电流:0.00015 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.165 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM71VS18163BLJ-7 数据手册

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EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44