是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.91 |
最长访问时间: | 80 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM |
内存宽度: | 16 | 端子数量: | 44 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP |
封装等效代码: | TSOP44/50,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.00015 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.15 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
GM71VS18163CLJ-5 | HYNIX | x16 EDO Page Mode DRAM |
获取价格 |
|
GM71VS18163CLJ-6 | HYNIX | x16 EDO Page Mode DRAM |
获取价格 |
|
GM71VS18163CLJ-7 | HYNIX | x16 EDO Page Mode DRAM |
获取价格 |
|
GM71VS18163CLT-5 | HYNIX | x16 EDO Page Mode DRAM |
获取价格 |
|
GM71VS18163CLT-6 | HYNIX | x16 EDO Page Mode DRAM |
获取价格 |
|
GM71VS18163CLT6DR | HYNIX | EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44 |
获取价格 |