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GM71VS64403CLJ-5 PDF预览

GM71VS64403CLJ-5

更新时间： 2024-02-08 19:01:57
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
25页 450K
描述
x4 EDO Page Mode DRAM

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GM71VS64403CLJ-5 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：50 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J32
JESD-609代码：e0内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：4
功能数量：1端口数量：1
端子数量：32字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ32,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192自我刷新：YES
最大待机电流：0.0003 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.14 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

GM71VS64403CLJ-5 数据手册

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GM71V64403C  
GM71VS64403CL  
16,777,216 WORDS x 4 BIT  
CMOS DYNAMIC RAM  
Description  
Pin Configuration  
32 SOJ / TSOP II  
The GM71V(S)64403C/CL is the new generation  
dynamic RAM organized 16,777,216 words by 4bits.  
The GM71V(S)64403C/CL utilizes advanced CMOS  
Silicon Gate Process Technology as well as  
advanced circuit techniques for wide operating  
margins, both internally and to the system user.  
System oriented features include single power supply  
of 3.3V+/-10% tolerance, direct interfacing  
capability with high performance logic families such  
as Schottky TTL.  
1
2
3
32  
31 IO3  
VSS  
VCC  
IO0  
IO1  
NC  
30  
IO2  
4
5
6
7
29  
28  
27  
26  
NC  
NC  
NC  
NC  
VSS  
VCC  
/CAS  
The GM71V(S)64403C/CL offers Extended Data  
Out(EDO) Mode as a high speed access mode.  
25  
8
9
/OE  
/WE  
/RAS  
24 A12  
23 A11  
22 A10  
Features  
10  
A0  
* 16,777,216 Words x 4 Bit  
* Extended Data Out (EDO) Mode Capability  
* Fast Access Time & Cycle Time  
11  
12  
A1  
A2  
A3  
A9  
21  
A8  
20  
13  
14  
15  
(Unit: ns)  
A4  
A5  
19  
18  
A7  
A6  
tRAC  
tAA  
tCAC  
tRC  
tHPC  
84  
20  
25  
50  
60  
25  
30  
13  
15  
GM71V(S)64403C/CL-5  
GM71V(S)64403C/CL-6  
16  
17 VSS  
VCC  
104  
(Top View)  
*Power dissipation  
- Active : 432mW/396mW(MAX)  
- Standby : 1.8 mW ( CMOS level : MAX )  
0.54mW ( L-Version : MAX)  
*EDO page mode capability  
*Access time : 50ns/60ns (max)  
*Refresh cycles  
- RAS only Refresh  
8192 cycles/64 § Â(GM71V64403C)  
8192 cycles/128§ Â(GM71VS64403CL)(L_Version)  
*CBR & Hidden Refresh  
4096 cycles/64 § Â(GM71V64403C)  
4096cycles/128 § Â(GM71VS64403CL)( L-Version )  
*4 variations of refresh  
-RAS-only refresh  
-CAS-before-RAS refresh  
-Hidden refresh  
-Self refresh (L-Version)  
*Single Power Supply of 3.3V+/-10 % with a built-in VBB generator  
*Battery Back Up Operation ( L-Version )  
Rev 0.1 / Apr’01  
1
1234567...25

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