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GM71V64803CT-6

更新时间： 2022-01-21 14:59:00

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描述
x8 EDO Page Mode DRAM

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GM71V64803CT-6 数据手册

GM71V64803C

GM71VS64803CL

Extended Data Out Mode Cycles

GM71V(S)64803C/CL-5

GM71V(S)64803C/CL-6

Notes

Symbol

Parameter

Unit

Min

Max

EDO Page Mode Cycle Time

HPC

WPE

Write pulse width during CAS Precharge

EDO Mode RAS Pulse Width

100000

RASP

ACP

Access Time from CAS Precharge

9,17

RHCP

RAS Hold Time from CAS Precharge

COL

COP

CAS Hold Time Referred OE

CAS to OE set-up Time

RCHP

Read Command Hold Time from CAS

Precharge

DOH

OEP

Output Data Hold Time from CAS Low

OE Precharge Time

9,22

EDO Page Mode Read-Modify-Write cycle

GM71V(S)64803C/CL-6

GM71V(S)64803C/CL-5

Notes

Symbol

Parameter

Unit

Min

Max

EDO Read-Modify-Write Cycle Time

HPRWC

CPW

EDO Page Mode Read-Modify-Write Cycle

CAS Precharge to WE Delay Time

Self Refresh Cycles (L_Version)

GM71V(S)64803C/CL-5

GM71V(S)64803C/CL-6

Symbol

Parameter

Notes

Unit

Min

100

Min

100

110

-50

Max

RASS

RAS Pulse Width(Self-Refresh)

RPS

CHS

RAS Precharge Time(Self-Refresh)

CAS Hold Time(Self-Refresh)

-50

Rev 0.1 / Apr’01

1...4 5 678 9 10 11

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