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GM71V64400CJ-7

更新时间： 2024-01-04 08:45:10
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 97K
描述
x4 Fast Page Mode DRAM

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GM71V64400CJ-7 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ32,.44
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：70 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J32JESD-609代码：e0
长度：21.02 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：4
功能数量：1端口数量：1
端子数量：32字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ32,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192座面最大高度：3.76 mm
最大待机电流：0.0005 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.12 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

GM71V64400CJ-7 数据手册

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GM71V64400C  
Read-Modify-Write Cycles  
GM71V64400C-5 GM71V64400C-6 GM71V64400C-7  
Symbol  
Parameter  
Note  
Unit  
Min  
133  
73  
Min  
Max  
Max  
Max  
Min  
185  
155  
-
-
-
-
-
-
-
Read-Modify-Write Cycle Time  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
RWC  
RWD  
CWD  
AWD  
OEH  
100  
50  
85  
40  
-
-
-
-
-
-
10  
10  
10  
t
RAS to WE Delay Time  
36  
t
CAS to WE Delay Time  
65  
48  
55  
15  
-
-
Column Address to WE Delay Time  
OE Hold Time from WE  
t
20  
13  
t
Refresh Cycle  
GM71V64400C-5 GM71V64400C-6 GM71V64400C-7  
Symbol  
Note  
Parameter  
Unit  
ns  
Max  
Min  
Max Min  
Max  
Min  
CAS Set-up Time  
(CAS-before-RAS Refresh Cycle)  
10  
-
-
10  
10  
tCSR  
10  
-
CAS Hold Time  
(CAS-before-RAS Refresh Cycle)  
10  
-
-
10  
ns  
tCHR  
-
-
-
-
-
10  
10  
10  
10  
10  
10  
ns  
ns  
t
RPC  
-
-
RAS Precharge to CAS Hold Time  
CAS Precharge Time in Normal Mode  
t
CPN  
Fast Page Mode Cycles  
Parameter  
GM71V64400C-6 GM71V64400C-7  
GM71V64400C-5  
Unit Note  
Symbol  
Min  
Max  
Min  
40  
10  
-
Max  
Min  
Max  
35  
45  
t
PC  
CP  
RASP  
ACP  
RHCP  
Fast Page Mode Cycle Time  
-
-
-
-
-
-
ns  
Fast Page Mode CAS Precharge Time  
Fast Page Mode RAS Pulse Width  
Access Time from CAS Precharge  
RAS Hold Time from CAS Precharge  
10  
-
10  
-
ns  
t
100,000  
100,000  
100,000  
t
ns 12  
3,13  
-
30  
-
t
-
35  
-
-
40  
-
ns  
17  
30  
t
35  
40  
ns  
Fast Page Mode Read-Modify-Write  
Cycle CAS Precharge to WE Delay Time  
10  
ns  
t
CPW  
-
-
-
-
65  
-
-
50  
76  
55  
85  
Fast Page Mode Read-Modify-Write  
Cycle Time  
tPRWC  
100  
ns  
10  
6
Rev 0.1 / Apr’01  
1...3456789

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