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GM71C4800ALR-10

更新时间: 2024-09-17 20:13:55
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 1290K
描述
Fast Page DRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO28

GM71C4800ALR-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP28,.46Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.91最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:8
端子数量:28字数:524288 words
字数代码:512000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP28,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024反向引出线:YES
自我刷新:NO最大待机电流:0.0002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.09 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM71C4800ALR-10 数据手册

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