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GM71C4100CT-80

更新时间： 2024-01-19 15:03:19
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 106K
描述
x1 Fast Page Mode DRAM

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GM71C4100CT-80 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TSOP, TSOP20/26,.36Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.91最长访问时间：80 ns
I/O 类型：SEPARATEJESD-30 代码：R-PDSO-G20
JESD-609代码：e0内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：1
端子数量：20字数：4194304 words
字数代码：4000000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX1
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP20/26,.36
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.09 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL

GM71C4100CT-80 数据手册

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GM71C(S)4100C/CL  
LG Semicon  
15.  
Test mode operation specified in this data sheet is 8 bit test function controlled by control  
address bits RA10, CA10 and CA0. This test mode operation can be performed by WE and CAS  
before RAS (WCBR) refresh cycle. Refresh during test mode operation will be performed by  
normal read cycles or by WCBR refresh cycles. When the state of eight test bits accord each  
other, the condition of the output data is high level. When the state of test bits do not accord, the  
condition of the output data is low level. Data output pin is DOUT and data input pin is DIN. In  
order to end this test mode operation, perform a RAS only refresh cycle or a CAS before RAS  
refresh cycle.  
16.  
In a test mode read cycle, the value of tRAC, tAA, tCAC and tACP is delayed for 2ns to 5ns for the  
specified value. These parameters should be specified in test mode cycles by adding the above  
value to the specified value in this data sheet.  
8
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