5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > DRAM> GM71C18163CJ-6
GM71C18163CJ-6 PDF预览

GM71C18163CJ-6

更新时间： 2024-01-29 08:45:12
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 114K
描述
x16 EDO Page Mode DRAM

阅读下载

获取价格

GM71C18163CJ-6 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ42,.44
针数：42Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.26Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J42JESD-609代码：e0
长度：27.06 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：42字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ42,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024座面最大高度：3.76 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

GM71C18163CJ-6 数据手册

 浏览型号GM71C18163CJ-6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM71C18163CJ-6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GM71C18163CJ-6的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GM71C18163CJ-6的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GM71C18163CJ-6的Datasheet PDF文件第10页浏览型号GM71C18163CJ-6的Datasheet PDF文件第11页 
GM71C18163C  
GM71CS18163CL  
Self Refresh Mode ( L-version )  
GM71CS18163  
CL-5  
GM71CS18163  
CL-6  
GM71CS18163  
CL-7  
Symbol  
Parameter  
Unit Note  
Min Max Min Max Min Max  
29  
t
RASS  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
us  
ns  
RAS Pulse Width(Self-Refresh)  
100  
90  
100  
110  
-50  
100  
130  
-50  
tRPS  
RAS Precharge Time(Self-Refresh)  
CAS Hold Time(Self-Refresh)  
-50  
tCHS  
ns  
Notes :  
1. AC measurements assume tT = 2 ns.  
2. An initial pause of 200us is required after power followed by a minimum of eight initializa-  
tion cycles (any combination of cycles containing RAS-only refresh or CAS-before-RAS  
refresh).  
3. Operation with the tRCD (max) limit insures that tRAC (max) can be met, tRCD (max) is  
specified as a reference point only; if tRCD is greater than the specified tRCD (max) limit, then  
access time is controlled exclusively by tCAC.  
4. Operation with the tRAD (max) limit insures that tRAC (max) can be met, tRAD (max) is  
specified as a reference point only; if tRAD is greater than the specified tRAD (max) limit, then  
access time is controlled exclusively by tAA.  
5. Either tODD or tCDD must be satisfied.  
6. Either tDZO or tDZC must be satisfied.  
7. VIH (min) and VIL (max) are reference levels for measuring timing of input signals. Also,  
transition times are measured between VIH (min) and VIL (max).  
8. Assumes that tRCD <= tRCD (max) and tRAD <= tRAD (max). If tRCD or tRAD is greater than the  
maximum recommended value shown in this table, tRAC exceeds the value shown.  
9. Measured with a load circuit equivalent to 1TTL loads and 100pF.  
10. Assumes that tRCD >= tRCD (max) and tRAD <= tRAD (max).  
11. Assumes that tRCD <= tRCD (max) and tRAD >= tRAD (max).  
12. Either tRCH or tRRH must be satisfied for a read cycles.  
13. tOFF (max) and tOEZ (max) define the time at which the outputs achieve the open circuit condi-  
tion and are not referred to output voltage levels.  
14. tWCS, tRWD, tCWD, tAWD and tCPW are not restrictive operating parameters. They are included in  
the data sheet as electrical characteristics only; if tWCS >= tWCS (min), the cycle is an early  
write cycle and the data out pin will remain open circuit(high impedance) throughout the  
entire cycle; if tRWD>=tRWD(min), tCWD>=tCWD(min), and tAWD>=tAWD(min), or tCWD>=tCWD(min)  
tAWD >= tAWD (min) and tCPW >= tCPW (min), the cycle is a read-modify-write and the data out-  
put will contain data read from the selected cell; if neither of the above sets of conditions is  
satisfied, the condition of the data out (at access time) is indeterminate.  
Rev 0.1 / Apr’01  
1...67891011

下载PDF

与GM71C18163CJ-6相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM71C18163CJ-7 HYNIX x16 EDO Page Mode DRAM

获取价格
GM71C18163CL-5 HYNIX 1,048,576 WORDS x 16 BIT CMOS DYNAMIC RAM

获取价格
GM71C18163CL-6 HYNIX 1,048,576 WORDS x 16 BIT CMOS DYNAMIC RAM

获取价格
GM71C18163CL-7 HYNIX 1,048,576 WORDS x 16 BIT CMOS DYNAMIC RAM

获取价格
GM71C18163CLT-6 HYNIX EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44

获取价格
GM71C18163CT-5 HYNIX x16 EDO Page Mode DRAM

获取价格

与GM71C18163CJ-6相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证