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GM71C18163CJ-6

更新时间： 2024-01-27 21:59:41

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
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11页	114K
描述
x16 EDO Page Mode DRAM

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GM71C18163CJ-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ42,.44
针数：	42	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J42	JESD-609代码：	e0
长度：	27.06 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	42	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ42,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	3.76 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

GM71C18163CJ-6 数据手册

GM71C18163C

GM71CS18163CL

Unit: Inches (mm)

Package Dimension

42 SOJ

0.025(0.64)

MIN

0.093(2.38)

MIN

1.058(26.89) MAX

1.072(27.23) MAX

0.128(3.25) MIN

0.148(3.75) MAX

0.050(1.27)

TYP

0.026(0.66) MIN

0.032(0.81) MAX

0.015(0.38) MIN

0.020(0.50) MAX

44(50) TSOP-II

0.016(0.40) MIN

0.024(0.60) MAX

_{0 ~ 5}¡ £

0.004(0.12) MIN

0.008(0.21) MAX

0.820(20.82) MIN

0.830(21.08) MAX

0.037(0.95) MIN

0.041(1.05) MAX

0.047(1.20)

MAX

0.012(0.30) MIN

0.017(0.45) MAX

0.031(0.80)

TYP

0.002(0.05) MIN

0.006(0.15) MAX

Rev 0.1 / Apr’01

1...8 9 1011

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