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GM71C18163CT-6

更新时间： 2024-11-02 23:53:43
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 114K
描述
x16 EDO Page Mode DRAM

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GM71C18163CT-6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数：50Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.18访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：20.95 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：44
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44/50,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.17 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

GM71C18163CT-6 数据手册

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GM71C18163C  
GM71CS18163CL  
1,048,576 WORDS x 16 BIT  
CMOS DYNAMIC RAM  
Description  
Features  
The GM71C(S)18163C/CL is the new  
generation dynamic RAM organized 1,048,576  
x 16 bit. GM71C(S)18163C/CL has realized  
higher density, higher performance and various  
functions by utilizing advanced CMOS process  
technology. The GM71C(S)18163C/CL offers  
Extended Data out(EDO) Mode as a high speed  
access mode. Multiplexed address inputs permit  
the GM71C(S)18163C/CL to be packaged in  
standard 400 mil 42pin plastic SOJ, and standard  
400mil 44(50)pin plastic TSOP II. The package  
size provides high system bit densities and is  
compatible with widely available automated  
testing and insertion equipment.  
* 1,048,576 Words x 16 Bit Organization  
* Extended Data Out Mode Capability  
* Single Power Supply (5V+/-10%)  
* Fast Access Time & Cycle Time  
(Unit: ns)  
tRAC  
tCAC  
tRC  
tHPC  
50  
60  
70  
13  
15 104  
18 124  
84  
20  
25  
30  
GM71C(S)18163C/CL-5  
GM71C(S)18163C/CL-6  
GM71C(S)18163C/CL-7  
* Low Power  
Active : 1045/935/825mW (MAX)  
Standby : 11mW (CMOS level : MAX)  
0.83mW (L-version : MAX)  
* RAS Only Refresh, CAS before RAS Refresh,  
Hidden Refresh Capability  
* All inputs and outputs TTL Compatible  
* 1024 Refresh Cycles/16ms  
* 1024 Refresh Cycles/128ms (L-version)  
* Self Refresh Operation (L-version)  
* Battery Back Up Operation (L-version)  
* 2 CAS byte Control  
Pin Configuration  
42 SOJ  
44(50) TSOP II  
1
VSS  
50  
VCC  
1
42  
41  
VSS  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VCC  
49  
2
3
4
5
6
7
8
9
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VCC  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
NC  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
2
3
4
5
6
I/O15  
48  
47  
40 I/O14  
39 I/O13  
46 I/O12  
45 VSS  
38  
I/O12  
37  
VSS  
44  
I/O11  
7
36  
I/O11  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
NC  
43 I/O10  
42 I/O9  
41 I/O8  
8
35  
I/O10  
10  
11  
9
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
I/O9  
I/O8  
NC  
40  
NC  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
LCAS  
UCAS  
OE  
NC  
WE  
RAS  
NC  
NC  
NC  
36 NC  
15  
16  
35  
LCAS  
34  
17  
18  
WE  
UCAS  
33  
RAS  
A9  
OE  
32  
A9  
A8  
A7  
A6  
19  
A11  
A10  
A0  
A1  
A2  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
27  
A8  
NC  
31  
20  
21  
22  
23  
26 A7  
A0  
30  
25  
A6  
A1  
A2  
29  
24  
A5  
28 A5  
27 A4  
23 A4  
A3  
24  
25  
A3  
VCC  
26  
22  
VSS  
VCC  
VSS  
(Top View)  
Rev 0.1 / Apr’01  
1234567...11

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与GM71C18163CT-6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GM71C18163CT-6DR HYNIX

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 		EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
GM71C18163CT-7 HYNIX

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 		x16 EDO Page Mode DRAM
GM71C4100BJ-60 ETC

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 		x1 Fast Page Mode DRAM
GM71C4100BJ-70 ETC

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