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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-201AD |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.28 |
| 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JEDEC-95代码： | DO-201AD |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 100 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 最大反向恢复时间： | 0.2 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GI85L02 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| GI85T03 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| GI882 | GTM |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
|
| GI88L02 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| GI88LS02 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| GI90T03 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| GI910 | VISHAY |
获取价格 |
MEDIUM-SWITCHING PLASTIC RECTIFIER |
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| GI910/1 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 50V V(RRM) |
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| GI910/100 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| GI910/23 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 50V V(RRM) |
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