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GI850-E3/54

更新时间： 2024-11-30 22:49:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效二极管
页数 文件大小 规格书
4页 75K
描述
DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

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GI850-E3/54 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.75
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向恢复时间：0.2 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

GI850-E3/54 数据手册

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Not Available for New Designs, Use RGP30A, RGP30B, RGP30D, RGP30G  
GI850, GI851, GI852, GI854, GI856, GI858  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Fast Switching Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Fast switching for high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• High forward surge capability  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
DO-201AD  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in fast switching rectification of power supply,  
inverters, converters and freewheeling diodes for consumer  
and telecommunication.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
3.0 A  
Note  
•
These devices are not AEC-Q101 qualified.  
50 V, 100 V, 200 V, 400 V, 600 V,  
800 V  
VRRM  
IFSM  
100 A  
200 ns  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-201AD, molded epoxy body  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
trr  
IR  
10 μA  
VF  
1.25 V  
TJ max.  
Package  
Diode variation  
150 °C  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
DO-201AD  
Single die  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
GI850  
GI851  
100  
70  
GI852  
200  
GI854  
400  
GI856  
600  
GI858  
800  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
50  
V
V
V
V
VRMS  
35  
140  
280  
420  
560  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum non-repetitive peak reverse voltage  
VDC  
50  
100  
150  
200  
400  
600  
800  
VRSM  
75  
250  
450  
650  
880  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
IFSM  
3.0  
A
A
0.375" (9.5 mm) lead length at TA = 90 °C  
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
100  
Operating junction and  
storage temperature range  
TJ, TSTG  
-50 to +150  
°C  
Revision: 27-Feb-14  
Document Number: 88630  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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